您好，欢迎来到优特美尔 登录 注册有礼
我的订单 会员中心
订单状态 询价历史 我的收藏 地址管理
QQ在线咨询 电话0755-83328606
DEGSON海康连接器端子储存器硬盘闪存卡
IC分立半导体传感器
询价列表
购物车
0
首页 产品目录表 品牌库 BOM配单 行业资讯 资质认证 关于我们 联系我们
首页 全部分类 PMZ950UPEYL vs FDY2000PZ

PMZ950UPEYL备选型号: FDY2000PZ

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 电阻
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 阈值电压
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZ950UPEYL
    Nexperia USA Inc.
    Single P-Channel 20 V 1.4 Ohm 2.1 nC SMT Trench MOSFET - DFN1006-3
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    3
    SILICON
    500mA Ta
    950mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    1.02Ohm
    BOTTOM
    无铅
    IEC-60134
    R-PBCC-N3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    2.3 ns
    P-Channel
    SWITCHING
    1.4 Ω @ 500mA, 4.5V
    43pF @ 10V
    2.1nC @ 4.5V
    5ns
    20V
    ±8V
    6 ns
    500mA
    8V
    0.5A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDY2000PZ
    ON Semiconductor
    MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    6
    SILICON
    2
    -
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    FLAT
    -
    -
    -
    增强型MOSFET
    -
    6 ns
    2 P-Channel (Dual)
    -
    1.2 Ω @ 350mA, 4.5V
    100pF @ 10V
    1.4nC @ 4.5V
    13ns
    20V
    -
    13 ns
    350mA
    8V
    0.35A
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
    32mg
    PowerTrench®
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    625mW
    Dual
    630mW
    446mW
    1.5V @ 250μA
    -1.03V
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    600μm
    1.7mm
    1.2mm
    无SVHC
    无
    无铅
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
FDY100PZ FDY100PZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 SC-89, SOT-490 MOSFET P-CH 20V 350MA SC-89 对比
FDY2000PZ FDY2000PZ ON Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 SOT-563, SOT-666 MOSFET -20V Dual P-Channel Spec PwrTrch MOSFET 对比
DMP21D5UFD-7 DMP21D5UFD-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 3-UDFN Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A T/R 对比