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首页 全部分类 PMZB150UNEYL vs DMN2300UFD-7

PMZB150UNEYL备选型号: DMN2300UFD-7

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  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
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  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    PMZB150UNEYL
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V SOT883
    8 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-XFDFN
    3
    DFN1006B-3
    1.5A Ta
    950mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    150°C
    -55°C
    N-Channel
    200mOhm @ 1.5A, 4.5V
    93pF @ 10V
    1.6nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    1.5A
    93pF
    170mOhm
    200 mΩ
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2300UFD-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X1-DFN1212-3,3K
    17 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    3-UDFN
    3
    -
    1
    950mV @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2011
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    200m Ω @ 900mA, 4.5V
    67.62pF @ 25V
    2nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    1.73A
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    e4
    yes
    3
    EAR99
    Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
    低阈值
    DUAL
    260
    40
    1
    Single
    增强型MOSFET
    4.92 ns
    SWITCHING
    6.93ns
    10.62 ns
    8V
    0.2Ohm
    20V
    无SVHC
    无
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