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首页 全部分类 PMZB600UNEYL vs DMN2400UFB4-7

PMZB600UNEYL备选型号: DMN2400UFB4-7

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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PMZB600UNEYL
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V XQFN3
    8 Weeks
    3-XFDFN
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    600mA Ta
    950mV @ 250μA
    2014
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    470mOhm
    BOTTOM
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    620m Ω @ 600mA, 4.5V
    21.3pF @ 10V
    0.7nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    600mA
    0.6A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    DMN2400UFB4-7
    Diodes Incorporated
    MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
    6 Weeks
    3-XFDFN
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    750mA Ta
    900mV @ 250μA
    2011
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    -
    BOTTOM
    -
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    550m Ω @ 600mA, 4.5V
    36pF @ 16V
    0.5nC @ 4.5V
    20V
    ±12V
    750mA
    0.75A
    20V
    ROHS3 Compliant
    Gold
    e4
    yes
    EAR99
    HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
    260
    40
    1
    Single
    4.11 ns
    3.82ns
    9.6 ns
    12V
    0.55Ohm
    350μm
    1.08mm
    675μm
    无SVHC
    无
    无铅
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