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首页 全部分类 PMZB600UNEYL vs PMCXB900UELZ

PMZB600UNEYL备选型号: PMCXB900UELZ

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  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
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  • RoHS状态
  • 最大功率耗散
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 功率 - 最大
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 极性/通道类型
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • Nexperia USA Inc.
    PMZB600UNEYL
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 20V XQFN3
    8 Weeks
    3-XFDFN
    表面贴装
    表面贴装
    3
    SILICON
    600mA Ta
    950mV @ 250μA
    2014
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    470mOhm
    BOTTOM
    无铅
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    620m Ω @ 600mA, 4.5V
    21.3pF @ 10V
    0.7nC @ 4.5V
    20V
    ±8V
    600mA
    0.6A
    20V
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    PMCXB900UELZ
    Nexperia USA Inc.
    PMCXB900UEL - 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET
    4 Weeks
    6-XFDFN Exposed Pad
    表面贴装
    表面贴装
    -
    SILICON
    2
    -
    2016
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    DUAL
    无铅
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N and P-Channel Complementary
    SWITCHING
    620m Ω @ 600mA, 4.5V
    21.3pF @ 10V
    0.7nC @ 4.5V
    20V
    -
    600mA
    0.6A
    20V
    ROHS3 Compliant
    380mW
    6
    IEC-60134
    R-PDSO-N6
    380mW
    950mV @ 250μA
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    0.62Ohm
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
  • 添加型号
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