Nexperia USA Inc. PMZB600UNEYL

工厂交货时间

8 Weeks

包装/外壳

3-XFDFN

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

600mA Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

950mV @ 250μA

Power Dissipation (Max)

360mW Ta 2.7W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.2V 4.5V

已出版

2014

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

电阻

470mOhm

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

620m Ω @ 600mA, 4.5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

21.3pF @ 10V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.7nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±8V

连续放电电流(ID)

600mA

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.6A

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant