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PMZB950UPEYL备选型号: PMDXB950UPELZ
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- DS 击穿电压-最小值
- RoHS状态
- 最大功率耗散
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 功率 - 最大
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 场效应管技术
- 场效应管特性
MOSFET P-CH 20V XQFN38 Weeks表面贴装表面贴装3-XFDFN3SILICON500mA Ta950mV @ 250μA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014活跃1 (Unlimited)3BOTTOM无铅SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINP-ChannelSWITCHING1.4 Ω @ 500mA, 4.5V43pF @ 10V2.1nC @ 4.5V20V±8V500mA0.5A20VROHS3 Compliant--------
20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF4 Weeks表面贴装表面贴装6-XFDFN Exposed Pad-SILICON2--55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)6-无铅SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAIN2 P-Channel (Dual)SWITCHING1.4 Ω @ 500mA, 4.5V43pF @ 10V2.1nC @ 4.5V20V-500mA0.5A20VROHS3 Compliant380mW6IEC-60134R-PDSO-N6380mW950mV @ 250μAMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | DMP21D5UFD-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 3-UDFN | Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A T/R | 对比 |
| PMDXB950UPELZ | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | 6-XFDFN Exposed Pad | 20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF | 对比 |
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