Nexperia USA Inc. PMDXB950UPELZ
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PMDXB950UPELZ
1729-PMDXB950UPELZ
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
6-XFDFN Exposed Pad
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20 V, DUAL P-CHANNEL TRENCH MOSF
1最小包装量--
PMDXB950UPELZ详情
Nexperia USA Inc. PMDXB950UPELZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
4 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-XFDFN Exposed Pad
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
2
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
最大功率耗散
380mW
终端形式
无铅
引脚数量
6
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PDSO-N6
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
功率 - 最大
380mW
场效应管类型
2 P-Channel (Dual)
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ω @ 500mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
950mV @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
43pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
2.1nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
连续放电电流(ID)
500mA
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.5A
DS 击穿电压-最小值
20V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性
Standard
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMDXB950UPELZ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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