PSMN009-100P,127备选型号: BUK7619-100B,118
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 表面安装
- 包装/外壳
- 安装类型
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 系列
- 包装
- 操作温度
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 宽度
- 长度
- 高度
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 无铅
- 漏源电压 (Vdss)
- 源Url状态检查日期
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB12 WeeksNOTO-220-3通孔3453.59237mgSILICON4V @ 1mA120 ns2011TrenchMOS™Tube-55°C~175°C TJe3活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75Single增强型MOSFET230WDRAIN38 nsN-ChannelSWITCHING8.8m Ω @ 25A, 10V8250pF @ 25V156nC @ 10V59ns±20V43 ns75A20V100V0.0088Ohm100V400A120 mJ6.35mm25.4mm6.35mmROHS3 Compliant无无铅---
- MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK--TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装3--4V @ 1mA200W Tc2007TrenchMOS™Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ-Obsolete1 (Unlimited)---------N-Channel-19m Ω @ 25A, 10V3400pF @ 25V53nC @ 10V-±20V-----------ROHS3 Compliant--100V2013-06-14 00:00:00not_compliant
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK | 对比 |


哦! 它是空的。