Nexperia USA Inc. PSMN009-100P,127

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

包装/外壳

TO-220-3

安装类型

通孔

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Turn Off Delay Time

120 ns

Power Dissipation (Max)

230W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

已出版

2011

系列

TrenchMOS™

包装

Tube

操作温度

-55°C~175°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

230W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

38 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8.8m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8250pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

156nC @ 10V

上升时间

59ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

43 ns

连续放电电流(ID)

75A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

100V

漏极-源极导通最大电阻

0.0088Ohm

漏源击穿电压

100V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

400A

雪崩能量等级（Eas）

120 mJ

宽度

6.35mm

长度

25.4mm

高度

6.35mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

无铅

无铅