PSMN010-80YLX备选型号: FDD86367-F085
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 端子表面处理
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 通道数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 达到SVHC
- NEXPERIA - PSMN010-80YLX - MOSFET, N-CH, 80V, 84A, SOT-669-412 Weeks表面贴装表面贴装SC-100, SOT-6694SILICON84A Tc2.1V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)4雪崩 额定SINGLE鸥翼IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING10m Ω @ 25A, 10V6506pF @ 25V44.2nC @ 5V80V±20V84AMO-2350.011Ohm336A80V112.8 mJROHS3 Compliant----------------
- PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mO,47 Weeks表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63--100A Tc4V @ 250μA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)1 (Unlimited)---------N-Channel-4.2m Ω @ 80A, 10V4840pF @ 40V88nC @ 10V-±20V100A-----ROHS3 Compliant260.37mgAutomotive, AEC-Q101, PowerTrench®e3yesTin (Sn)260未说明1Single227W20 ns20V80V175°C2.517mmnot_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BSC072N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON | 对比 |
![]() | FDD86367-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | PowerTrench® MOSFET, N-Channel, 80V, 100A, 4.2 mO, | 对比 |
![]() | FDD86369-F085 | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 80V 90A DPAK | 对比 |





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