PSMN013-100ES,127备选型号: BUK6E4R0-75C,127

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 系列
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN013-100ES - N-channel 100V 13.9m? standard level MOSFET in I2PAK.
    20 Weeks
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    10V
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    Single
    170W
    20.7 ns
    N-Channel
    13.9m Ω @ 15A, 10V
    3195pF @ 50V
    59nC @ 10V
    25ns
    ±20V
    24 ns
    68A
    20V
    100V
    90V
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
    12 Weeks
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    3
    120A Tc
    2.8V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    52 ns
    N-Channel
    4.2m Ω @ 25A, 10V
    15450pF @ 25V
    234nC @ 10V
    81ns
    ±16V
    156 ns
    120A
    16V
    75V
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    Tin
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    not_compliant
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BUK7619-100B,118 BUK7619-100B,118 NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK 对比
BUK6E4R0-75C,127 BUK6E4R0-75C,127 Nexperia USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK 对比