PSMN013-100ES,127备选型号: BUK6E4R0-75C,127
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- 型号:
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 触点镀层
- 系列
- 达到SVHC
- PSMN013-100ES - N-channel 100V 13.9m? standard level MOSFET in I2PAK.20 Weeks通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA310V4V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2011Obsolete1 (Unlimited)Single170W20.7 nsN-Channel13.9m Ω @ 15A, 10V3195pF @ 50V59nC @ 10V25ns±20V24 ns68A20V100V90V无符合RoHS标准---
- MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK12 Weeks通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA3120A Tc2.8V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2010Obsolete1 (Unlimited)--52 nsN-Channel4.2m Ω @ 25A, 10V15450pF @ 25V234nC @ 10V81ns±16V156 ns120A16V75V--Non-RoHS CompliantTinAutomotive, AEC-Q101, TrenchMOS™not_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK7619-100B,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK | 对比 | |
| BUK6E4R0-75C,127 | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK | 对比 |


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