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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥16.033924
10
¥15.126345
100
¥14.270133
500
¥13.462393
1000
¥12.700365
Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES,127
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- 对比
PSMN013-100ES,127
1729-PSMN013-100ES,127
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
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PSMN013-100ES - N-channel 100V 13.9m? standard level MOSFET in I2PAK.
--最小包装量--
¥
总价: ¥
PSMN013-100ES,127详情
Nexperia USA Inc. PSMN013-100ES,127重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
20 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
引脚数
3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
68A Tc
Power Dissipation (Max)
170W Tc
Turn Off Delay Time
52.5 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4V @ 1mA
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tube
已出版
2011
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
元素配置
Single
功率耗散
170W
接通延迟时间
20.7 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
13.9m Ω @ 15A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
3195pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
59nC @ 10V
上升时间
25ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
24 ns
连续放电电流(ID)
68A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
漏源击穿电压
90V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
PSMN013-100ES,127拓展信息
Nexperia USA Inc.
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