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首页 全部分类 PSMN016-100XS,127 vs IRFI4510GPBF

PSMN016-100XS,127备选型号: IRFI4510GPBF

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 包装/外壳
  • 安装类型
  • 引脚数
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 系列
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • NXP USA Inc.
    PSMN016-100XS,127
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 16 MOHMS STD LVL MOSFET
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
    通孔
    3
    32.1A Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2012
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    16m Ω @ 10A, 10V
    2404pF @ 50V
    46.2nC @ 10V
    100V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRFI4510GPBF
    Infineon Technologies
    IRFI4510GPBF N-Channel MOSFET, 35 A, 100 V HEXFET, 3-Pin TO-220FP Infineon
    TO-220-3 Full Pack
    通孔
    3
    35A Tc
    4V @ 100μA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    N-Channel
    13.5m Ω @ 21A, 10V
    2998pF @ 50V
    81nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    15 Weeks
    通孔
    6.000006g
    SILICON
    HEXFET®
    3
    EAR99
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    42W
    ISOLATED
    16 ns
    SWITCHING
    33ns
    37 ns
    35A
    2V
    TO-220AB
    20V
    100V
    206 mJ
    无
    无铅
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