PSMN019-100YLX备选型号: STD70N10F4
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子表面处理
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 辐射硬化
- 无铅
- MOSFET N-CH 100V LFPAK5612 Weeks表面贴装表面贴装SC-100, SOT-669SILICON56A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)4雪崩 额定SINGLE鸥翼未说明未说明4IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING18m Ω @ 15A, 10V2.1V @ 1mA5085pF @ 25V72.4nC @ 10V100V±20V56AMO-2350.019Ohm226A100V94.1 mJROHS3 Compliant-----------------
- Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R-表面贴装表面贴装TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63SILICON60A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)-活跃1 (Unlimited)2--鸥翼260303-R-PSSO-G2-增强型MOSFET-N-ChannelSWITCHING19.5m Ω @ 30A, 10V4V @ 250μA5800pF @ 25V85nC @ 10V-±20V60A--240A--ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 7 months ago)3DeepGATE™, STripFET™e3EAR9919.5mOhmMatte Tin (Sn) - annealedSTD70NSingle125W30 ns20ns20 ns20V100V无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF3710ZSTRLPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK | 对比 |
![]() | STD70N10F4 | STMicroelectronics | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R | 对比 |





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