Nexperia USA Inc. PSMN019-100YLX
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PSMN019-100YLX
1729-PSMN019-100YLX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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MOSFET N-CH 100V LFPAK56
1最小包装量--
PSMN019-100YLX详情
Nexperia USA Inc. PSMN019-100YLX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
56A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
167W Tc
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2016
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
雪崩 额定
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
4
参考标准
IEC-60134
JESD-30代码
R-PSSO-G4
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
18m Ω @ 15A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.1V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5085pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
72.4nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
100V
Vgs(最大值)
±20V
连续放电电流(ID)
56A
JEDEC-95代码
MO-235
漏极-源极导通最大电阻
0.019Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
226A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级(Eas)
94.1 mJ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PSMN019-100YLX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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