PSMN0R9-30YLDX备选型号: BUK761R4-30E,118
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 终端形式
- 通道数量
- 元素配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- 端子表面处理
- 端子位置
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 漏源电压 (Vdss)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- PSMN0R9-30YLD - N-channel 30 V, 0.87 mO, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology12 Weeks表面贴装SOT-1023, 4-LFPAKYES4SILICON300A2.2V @ 1mA-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)4AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY鸥翼1Single增强型MOSFETDRAIN38.1 nsN-ChannelSWITCHING0.87m Ω @ 25A, 10V7668pF @ 15V109nC @ 10V49.8ns±20V42.6 ns100A20V30V300A2987 mJ无ROHS3 Compliant------------
- MOSFET-表面贴装TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABYES3SILICON120A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2012Obsolete1 (Unlimited)2雪崩 额定鸥翼--增强型MOSFETDRAIN-N-ChannelSWITCHING1.45m Ω @ 25A, 10V9580pF @ 25V130nC @ 10V-±20V----120A1096 mJ-ROHS3 CompliantTrenchMOS™e3Tin (Sn)SINGLEAEC-Q101; IEC-60134R-PSSO-G2SINGLE WITH BUILT-IN DIODE30V0.00145Ohm1425A30Vnot_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DMP3098L-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Trans MOSFET P-CH 30V 3.8A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | 对比 |
| BUK761R4-30E,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET | 对比 |




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