Nexperia USA Inc. PSMN0R9-30YLDX
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PSMN0R9-30YLDX
1729-PSMN0R9-30YLDX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-1023, 4-LFPAK
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PSMN0R9-30YLD - N-channel 30 V, 0.87 mO, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 Technology
--最小包装量--
PSMN0R9-30YLDX详情
Nexperia USA Inc. PSMN0R9-30YLDX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-1023, 4-LFPAK
表面安装
YES
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
291W
Turn Off Delay Time
63 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.2V @ 1mA
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2015
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
附加功能
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
终端形式
鸥翼
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
38.1 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
0.87m Ω @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
7668pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
109nC @ 10V
上升时间
49.8ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
42.6 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
300A
雪崩能量等级(Eas)
2987 mJ
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PSMN0R9-30YLDX拓展信息
Nexperia USA Inc.
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