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首页 全部分类 PSMN1R0-25YLDX vs NTD4854NT4G

PSMN1R0-25YLDX备选型号: NTD4854NT4G

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  • 场效应管特性
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  • 端子表面处理
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  • 资历状况
  • 元素配置
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  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 无铅
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN1R0-25YLDX
    Nexperia USA Inc.
    PSMN1R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    4
    SILICON
    100A Tc
    2.2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2014
    活跃
    1 (Unlimited)
    4
    HIGH RELIABILITY
    SINGLE
    鸥翼
    IEC-60134
    R-PSSO-G4
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    0.89m Ω @ 25A, 10V
    5308pF @ 12V
    71.8nC @ 10V
    25V
    ±20V
    100A
    MO-235
    0.00143Ohm
    1226A
    25V
    1762 mJ
    Schottky Diode (Body)
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTD4854NT4G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 25V 15.7A DPAK
    -
    表面贴装
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    4
    SILICON
    15.7A Ta 128A Tc
    2.5V @ 250μA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    -
    -
    鸥翼
    -
    R-PSSO-G2
    -
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    3.6m Ω @ 30A, 10V
    4600pF @ 12V
    49.2nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    128A
    -
    -
    225A
    -
    338 mJ
    -
    符合RoHS标准
    e3
    yes
    EAR99
    Tin (Sn)
    未说明
    未说明
    不合格
    Single
    2.5W
    17.6ns
    8.5 ns
    20V
    15.7A
    25V
    无铅
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