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PSMN1R6-30BL,118备选型号: BUK761R8-30C,118
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- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 安装类型
- 触点镀层
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 已出版
- 包装
- 操作温度
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 输入电容
- 漏源电阻
- 最大rds
- RoHS状态
- 辐射硬化
- 系列
- 源Url状态检查日期
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK12 WeeksTO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装Tin3D2PAK174 ns2.15V @ 1mA2012Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJ活跃1 (Unlimited)175°C-55°CSingle306W104 nsN-Channel1.9mOhm @ 25A, 10V12493pF @ 15V212nC @ 10V163ns30V±20V87 ns100A20V30V30V12.493nF1.58mOhm1.9 mΩROHS3 Compliant无---- MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK-TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB表面贴装-3-100A Tc4V @ 1mA2007Tape & Reel (TR)-55°C~175°C TJObsolete1 (Unlimited)-----N-Channel1.8m Ω @ 25A, 10V10349pF @ 25V150nC @ 10V-30V±20V--------ROHS3 Compliant-TrenchMOS™2013-06-14 00:00:00not_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK761R8-30C,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 对比 |
| BUK761R4-30E,118 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | MOSFET | 对比 |
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