Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30BL,118
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PSMN1R6-30BL,118
1729-PSMN1R6-30BL,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
1最小包装量--
PSMN1R6-30BL,118详情
Nexperia USA Inc. PSMN1R6-30BL,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
12 Weeks
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型
表面贴装
触点镀层
Tin
引脚数
3
供应商器件包装
D2PAK
Turn Off Delay Time
174 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max)
306W Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A Tc
已出版
2012
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C~175°C TJ
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
175°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
306W
接通延迟时间
104 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.9mOhm @ 25A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
12493pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
212nC @ 10V
上升时间
163ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
87 ns
连续放电电流(ID)
100A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
30V
漏源击穿电压
30V
输入电容
12.493nF
漏源电阻
1.58mOhm
最大rds
1.9 mΩ
RoHS状态
ROHS3 Compliant
辐射硬化
无
PSMN1R6-30BL,118拓展信息
Nexperia USA Inc.
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