PSMN2R0-25MLDX备选型号: FDMS7570S
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级(Eas)
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 生命周期状态
- 引脚数
- 质量
- 系列
- JESD-609代码
- 无铅代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 元素配置
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间(典型值)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 达到SVHC
- PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK33SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)4HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼8IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING2.27m Ω @ 25A, 10V2.2V @ 1mA2490pF @ 12V34.4nC @ 10V25V±20V70A0.00306Ohm555A25V361 mJSchottky Diode (Body)ROHS3 Compliant----------------------
- MOSFET N-CH 25V 28A POWER5610 Weeks表面贴装表面贴装8-PowerTDFNSILICON28A Ta 49A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009活跃1 (Unlimited)5-DUALFLAT--R-PDSO-F5-增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING1.95m Ω @ 28A, 10V3V @ 1mA4515pF @ 13V69nC @ 10V-±20V49A-----ROHS3 CompliantACTIVE (Last Updated: 1 week ago)890mgPowerTrench®, SyncFET™e3yesEAR99Tin (Sn)Single2.5W14 ns5.9ns4 nsMO-240AA20V25V1.7 V1.05mm5mm6mm无无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| FDMS7570S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 | 对比 | |
![]() | IRFH4226TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6 | 对比 |
![]() | NTD78N03T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK | 对比 |





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