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PSMN2R0-25MLDX备选型号: IRFH4226TRPBF
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- 晶体管元件材料
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- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 附加功能
- 端子位置
- 终端形式
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 场效应管特性
- RoHS状态
- 引脚数
- 系列
- ECCN 代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 通道数量
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 上升时间
- 下降时间（典型值）
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 无铅
PSMN2R0-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK33SILICON70A Tc-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2016活跃1 (Unlimited)4HIGH RELIABILITYSINGLE鸥翼8IEC-60134R-PSSO-G4SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING2.27m Ω @ 25A, 10V2.2V @ 1mA2490pF @ 12V34.4nC @ 10V25V±20V70A0.00306Ohm555A25V361 mJSchottky Diode (Body)ROHS3 Compliant-------------
MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6-表面贴装表面贴装8-PowerTDFN-30A Ta 70A Tc-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2014Obsolete1 (Unlimited)----------N-Channel-2.4m Ω @ 30A, 10V2.1V @ 50μA2000pF @ 13V32nC @ 10V25V±20V30A-----符合RoHS标准8FASTIRFET™, HEXFET®EAR99未说明未说明IRFH422613.4W11 ns35ns8.1 ns20V无铅- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDMS7570S | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 | 对比 |
| IRFH4226TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 25V 70A PQFN 5X6 | 对比 |
 | NTD78N03T4G | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | MOSFET N-CH 25V 11.4A DPAK | 对比 |
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