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首页 全部分类 PSMN2R0-30PL,127 vs PMN20EN,115

PSMN2R0-30PL,127备选型号: PMN20EN,115

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  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
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  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN2R0-30PL,127
    Nexperia USA Inc.
    NEXPERIA - PSMN2R0-30PL,127 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 100A, 3-TO-220AB
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    453.59237mg
    SILICON
    100A Tc
    2.15V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    211W
    DRAIN
    63 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 15A, 10V
    6810pF @ 12V
    117nC @ 10V
    125ns
    ±20V
    59 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    30V
    0.0028Ohm
    30V
    555 mJ
    6.35mm
    31.75mm
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMN20EN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET Small Signal MOSFET
    -
    表面贴装
    SC-74, SOT-457
    -
    6
    -
    -
    6.7A Tj
    2.5V @ 250μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    20m Ω @ 6.7A, 10V
    630pF @ 15V
    18.6nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    30V
    2013-06-14 00:00:00
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