Nexperia USA Inc. PSMN2R0-30PL,127

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

211W Tc

Turn Off Delay Time

111 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

211W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

63 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1m Ω @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

6810pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

117nC @ 10V

上升时间

125ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

59 ns

连续放电电流(ID)

100A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

漏极-源极导通最大电阻

0.0028Ohm

漏源击穿电压

30V

雪崩能量等级（Eas）

555 mJ

高度

6.35mm

长度

31.75mm

宽度

6.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅