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PSMN2R1-40PLQ备选型号: BUK9E4R4-40B,127
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- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 包装/外壳
- 表面安装
- 触点镀层
- 安装类型
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- RoHS状态
- 系列
- JESD-609代码
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- HTS代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 雪崩能量等级（Eas）
- 达到SVHC
MOSFET N-CH 40V 150A TO-22012 WeeksTO-220-3NOTin通孔3SILICON12.1V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2013活跃1 (Unlimited)3SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET293WDRAIN56 nsN-ChannelSWITCHING2.2m Ω @ 25A, 10V9584pF @ 25V87.8nC @ 5V96ns±20V92 ns150ATO-220AB20V40V0.0026Ohm40VROHS3 Compliant---------------
MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK-TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AANO-通孔3SILICON75A Tc2V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2011Obsolete1 (Unlimited)3SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAIN-N-ChannelSWITCHING4m Ω @ 25A, 10V7124pF @ 25V64nC @ 5V-±15V-----0.0044Ohm-ROHS3 CompliantTrenchMOS™e3EAR99Tin (Sn)8541.29.00.75未说明未说明R-PSIP-T3不合格40V75A697A40V961 mJnot_compliant- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9E2R3-40E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail | 对比 |
| BUK9E4R4-40B,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 40V 75A I2PAK | 对比 |
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