Nexperia USA Inc. PSMN2R1-40PLQ

工厂交货时间

12 Weeks

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

293W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

150A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

151 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.1V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

已出版

2013

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

293W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

56 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.2m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9584pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

87.8nC @ 5V

上升时间

96ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

92 ns

连续放电电流(ID)

150A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

40V

漏极-源极导通最大电阻

0.0026Ohm

漏源击穿电压

40V

RoHS状态

ROHS3 Compliant