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首页 全部分类 PSMN2R2-40PS,127 vs BUK761R4-30E,118

PSMN2R2-40PS,127备选型号: BUK761R4-30E,118

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 表面安装
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 已出版
  • 操作温度
  • 包装
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • JEDEC-95代码
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 系列
  • 附加功能
  • 终端形式
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN2R2-40PS,127
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB
    12 Weeks
    NO
    通孔
    TO-220-3
    3
    SILICON
    100A Tc
    4V @ 1mA
    2013
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    2.1m Ω @ 25A, 10V
    8423pF @ 20V
    130nC @ 10V
    40V
    ±20V
    TO-220AB
    100A
    0.0021Ohm
    962A
    40V
    1240 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    BUK761R4-30E,118
    NXP USA Inc.
    MOSFET
    -
    YES
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    3
    SILICON
    120A Tc
    4V @ 1mA
    2012
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    2
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    SWITCHING
    1.45m Ω @ 25A, 10V
    9580pF @ 25V
    130nC @ 10V
    30V
    ±20V
    -
    120A
    0.00145Ohm
    1425A
    30V
    1096 mJ
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    TrenchMOS™
    雪崩 额定
    鸥翼
    AEC-Q101; IEC-60134
    R-PSSO-G2
  • 添加型号
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图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
BUK761R4-30E,118 BUK761R4-30E,118 NXP USA Inc. 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET 对比