Nexperia USA Inc. PSMN2R2-40PS,127

工厂交货时间

12 Weeks

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

306W Tc

已出版

2013

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

端子位置

SINGLE

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8423pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

130nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0021Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

962A

DS 击穿电压-最小值

40V

雪崩能量等级（Eas）

1240 mJ

达到SVHC

not_compliant

RoHS状态

ROHS3 Compliant