PSMN4R3-80PS,127备选型号: BUK9E4R9-60E,127
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs(最大值)
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 漏源击穿电压
- 雪崩能量等级(Eas)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 系列
- 附加功能
- 参考标准
- JESD-30代码
- 漏源电压 (Vdss)
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- PSMN4R3-80PS - N-channel 80 V, 4.3 m? standard level MOSFET in TO22012 Weeks通孔TO-220-3NO3SILICON120A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2011e3活跃1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET306WDRAIN38 nsN-ChannelSWITCHING4.3m Ω @ 25A, 10V8161pF @ 40V111nC @ 10V29ns±20V33 ns120ATO-220AB20V80V80V676 mJ无ROHS3 Compliant无铅----------
- Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AANO3SILICON234W Tc2.1V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2012e3Obsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLESINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFET-DRAIN-N-ChannelSWITCHING4.5m Ω @ 25A, 10V9710pF @ 25V65nC @ 5V-±10V------273 mJ-ROHS3 Compliant-TrenchMOS™雪崩 额定AEC-Q101; IEC-60134R-PSIP-T360V100A0.0049Ohm590A60Vnot_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9E4R9-60E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail | 对比 | |
| BUK7E4R3-75C,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 75V 100A I2PAK | 对比 |


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