NXP USA Inc. BUK9E4R9-60E,127

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA

表面安装

NO

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

234W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMOS™

已出版

2012

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

雪崩 额定

端子位置

SINGLE

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4.5m Ω @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9710pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

65nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100A

漏极-源极导通最大电阻

0.0049Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

590A

DS 击穿电压-最小值

60V

雪崩能量等级（Eas）

273 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant