PSMN4R8-100BSEJ备选型号: BUK7619-100B,118

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 材料
  • 质量
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 终端
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 镀层
  • 元素配置
  • 线规(最大值)
  • 线规(最小值)
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 导线/电缆规格
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs(最大值)
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 雪崩能量等级(Eas)
  • 关断时间-最大值(toff)
  • 达到SVHC
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 系列
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-channel 100 V 4.8 mo FET
    12 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    YES
    3
    Brass, Bronze
    3.949996g
    120A Tj
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2013
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    Wire Wrap
    鸥翼
    R-PSSO-G2
    Gold, Lead, Tin
    Single
    24 AWG
    20 AWG
    增强型MOSFET
    405W
    18 AWG
    DRAIN
    41 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.8m Ω @ 25A, 10V
    14400pF @ 50V
    278nC @ 10V
    65ns
    ±20V
    69 ns
    120A
    20V
    100V
    707A
    0.0048Ohm
    707A
    542 mJ
    294ns
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 100V 64A D2PAK
    -
    -
    表面贴装
    TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
    -
    3
    -
    -
    200W Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    19m Ω @ 25A, 10V
    3400pF @ 25V
    53nC @ 10V
    -
    ±20V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    not_compliant
    ROHS3 Compliant
    -
    TrenchMOS™
    100V
    2013-06-14 00:00:00
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