Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSEJ
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PSMN4R8-100BSEJ
1729-PSMN4R8-100BSEJ
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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MOSFET N-channel 100 V 4.8 mo FET
--最小包装量--
PSMN4R8-100BSEJ详情
Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100BSEJ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
12 Weeks
触点镀层
Tin
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
表面安装
YES
引脚数
3
材料
Brass, Bronze
质量
3.949996g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A Tj
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
405W Tc
Turn Off Delay Time
127 ns
操作温度
-55°C~175°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2013
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
终端
Wire Wrap
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
镀层
Gold, Lead, Tin
元素配置
Single
线规(最大值)
24 AWG
线规(最小值)
20 AWG
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
405W
导线/电缆规格
18 AWG
箱体转运
DRAIN
接通延迟时间
41 ns
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs
4.8m Ω @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14400pF @ 50V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
278nC @ 10V
上升时间
65ns
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
69 ns
连续放电电流(ID)
120A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
最大双电源电压
100V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
707A
漏极-源极导通最大电阻
0.0048Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
707A
雪崩能量等级(Eas)
542 mJ
关断时间-最大值(toff)
294ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
PSMN4R8-100BSEJ拓展信息
Nexperia USA Inc.
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