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首页 全部分类 PSMN5R0-80PS,127 vs BUK6E4R0-75C,127

PSMN5R0-80PS,127备选型号: BUK6E4R0-75C,127

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  • 工厂交货时间
  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 系列
  • 达到SVHC
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN5R0-80PS,127
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    12 Weeks
    通孔
    TO-220-3
    NO
    3
    453.59237mg
    SILICON
    100A Tc
    4V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2009
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    270W
    DRAIN
    33 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    4.7m Ω @ 15A, 10V
    6793pF @ 12V
    101nC @ 10V
    21ns
    ±20V
    14 ns
    100A
    TO-220AB
    20V
    80V
    0.0047Ohm
    80V
    598A
    6.35mm
    31.75mm
    6.35mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BUK6E4R0-75C,127
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
    12 Weeks
    通孔
    TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA
    -
    3
    -
    -
    120A Tc
    2.8V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2010
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    52 ns
    N-Channel
    -
    4.2m Ω @ 25A, 10V
    15450pF @ 25V
    234nC @ 10V
    81ns
    ±16V
    156 ns
    120A
    -
    16V
    75V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    -
    Tin
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    not_compliant
  • 添加型号
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