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PSMN5R5-60YS,115备选型号: BUK7E11-55B,127
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 安装类型
- 包装/外壳
- 表面安装
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- 端子表面处理
- 端子位置
- 终端形式
- 配置
- 操作模式
- 箱体转运
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs（最大值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 漏极-源极导通最大电阻
- DS 击穿电压-最小值
- 达到SVHC
- RoHS状态
- 系列
- ECCN 代码
- HTS代码
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- JESD-30代码
- 资历状况
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 雪崩能量等级（Eas）
NEXPERIA - PSMN5R5-60YS,115 - MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 60 V, 0.0036 ohm, 10 V, 3 V12 Weeks表面贴装SC-100, SOT-669YES4SILICON100A Tc4V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2009e3活跃1 (Unlimited)4Tin (Sn)SINGLE鸥翼SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING5.2m Ω @ 15A, 10V3501pF @ 30V56nC @ 10V60V±20V100AMO-2350.055Ohm60Vnot_compliantROHS3 Compliant----------
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK-通孔TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AANO3SILICON14V @ 1mA-55°C~175°C TJTube2011e3Obsolete1 (Unlimited)3Tin (Sn)SINGLE-SINGLE WITH BUILT-IN DIODE增强型MOSFETDRAINN-ChannelSWITCHING11m Ω @ 25A, 10V2604pF @ 25V37nC @ 10V55V±20V--0.011Ohm55Vnot_compliantROHS3 CompliantTrenchMOS™EAR998541.29.00.75未说明未说明R-PSIP-T3不合格75A338A173 mJ- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9E4R9-60E,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3 Tab) I2PAK Rail | 对比 |
| BUK7E11-55B,127 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET，MOSFET - 单个 | TO-262-3 Long Leads, I2Pak, TO-262AA | MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK | 对比 |
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