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首页 全部分类 PSMN5R9-30YL,115 vs IRLR8726TRPBF

PSMN5R9-30YL,115备选型号: IRLR8726TRPBF

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • NXP USA Inc.
    PSMN5R9-30YL,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET
    表面贴装
    SC-100, SOT-669
    78A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2011
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    not_compliant
    4
    N-Channel
    6.1m Ω @ 20A, 10V
    2.15V @ 1mA
    1226pF @ 15V
    21.3nC @ 10V
    30V
    ±20V
    2013-06-14 00:00:00
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IRLR8726TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    86A Tc
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    HEXFET®
    2007
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    5.8m Ω @ 25A, 10V
    2.35V @ 50μA
    2150pF @ 15V
    23nC @ 4.5V
    -
    ±20V
    -
    ROHS3 Compliant
    12 Weeks
    表面贴装
    3
    SILICON
    e3
    2
    EAR99
    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
    SINGLE
    鸥翼
    260
    30
    R-PSSO-G2
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    75W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    49ns
    16 ns
    86A
    TO-252AA
    12V
    0.058Ohm
    30V
    2.3876mm
    6.7056mm
    6.22mm
    无
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