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首页 全部分类 PSMN6R4-30MLDX vs IRFH8325TRPBF

PSMN6R4-30MLDX备选型号: IRFH8325TRPBF

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  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 雪崩能量等级（Eas）
  • 辐射硬化
  • Nexperia USA Inc.
    PSMN6R4-30MLDX
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 30V MLFP
    26 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-1210, 8-LFPAK33
    8
    66A Tc
    2.2V @ 1mA
    -55°C~175°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    活跃
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    N-Channel
    6.3m Ω @ 15A, 10V
    832pF @ 15V
    13.7nC @ 10V
    30V
    ±20V
    66A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • Infineon Technologies
    IRFH8325TRPBF
    Infineon Technologies
    MOSFET N-CH 30V 82A 5X6 PQFN
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-PowerTDFN
    8
    21A Ta 82A Tc
    2.35V @ 50μA
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    N-Channel
    5m Ω @ 20A, 10V
    2487pF @ 10V
    32nC @ 10V
    -
    ±20V
    21A
    ROHS3 Compliant
    SILICON
    HEXFET®
    e3
    5
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    DUAL
    FLAT
    R-PDSO-F5
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    3.6W
    DRAIN
    12 ns
    SWITCHING
    16ns
    7.1 ns
    20V
    0.005Ohm
    30V
    94 mJ
    无
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