PSMN6R4-30MLDX备选型号: PSMN5R9-30YL,115
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 场效应管类型
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 漏源电压 (Vdss)
- Vgs(最大值)
- 连续放电电流(ID)
- RoHS状态
- 系列
- 源Url状态检查日期
- 达到SVHC
- MOSFET N-CH 30V MLFP26 Weeks表面贴装表面贴装SOT-1210, 8-LFPAK33866A Tc2.2V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2015活跃1 (Unlimited)未说明未说明N-Channel6.3m Ω @ 15A, 10V832pF @ 15V13.7nC @ 10V30V±20V66AROHS3 Compliant---
- MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET--表面贴装SC-100, SOT-669478A Tc2.15V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011Obsolete1 (Unlimited)--N-Channel6.1m Ω @ 20A, 10V1226pF @ 15V21.3nC @ 10V30V±20V-ROHS3 CompliantTrenchMOS™2013-06-14 00:00:00not_compliant
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PSMN5R3-25MLDX | Nexperia USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-1210, 8-LFPAK33 | PSMN5R3-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | 对比 |
![]() | PSMN5R9-30YL,115 | NXP USA Inc. | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SC-100, SOT-669 | MOSFET N-Ch 30V TrenchMOS logic level FET | 对比 |
![]() | BSC0906NSATMA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | 8-PowerTDFN | Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin TDSON EP | 对比 |





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