Nexperia USA Inc. PSMN5R3-25MLDX

工厂交货时间

26 Weeks

包装/外壳

SOT-1210, 8-LFPAK33

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.2V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

51W Tc

Number of Elements

1

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

70A Tc

已出版

2016

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~175°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

参考标准

IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

5.9m Ω @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

858pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12.7nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

25V

Vgs（最大值）

±20V

连续放电电流(ID)

70A

漏极-源极导通最大电阻

0.00849Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

285A

DS 击穿电压-最小值

25V

雪崩能量等级（Eas）

76.7 mJ

场效应管特性

Schottky Diode (Body)

RoHS状态

ROHS3 Compliant