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PSMN7R0-30YL,115备选型号: BF2040E6814HTSA1
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 电阻
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 配置
- 通道数量
- 操作模式
- 功率耗散
- 箱体转运
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- Vgs（最大值）
- 下降时间（典型值）
- 连续放电电流(ID)
- JEDEC-95代码
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 最大双电源电压
- 最大漏极电流 (Abs) (ID)
- 漏源击穿电压
- 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
- 最大结点温度（Tj）
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 附加功能
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 测试电流
- 无卤素
- 漏源电压 (Vdss)
- 晶体管类型
- 增益
- 场效应管技术
- 噪声图
- 电压-测试
NEXPERIA - PSMN7R0-30YL,115 - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 76A, 4-SOT-66912 WeeksTin表面贴装表面贴装SC-100, SOT-6694453.59237mgSILICON76A Tc2.15V @ 1mA-55°C~175°C TJTape & Reel (TR)2011e3活跃1 (Unlimited)4EAR997MOhmSINGLE鸥翼26030SINGLE WITH BUILT-IN DIODE1增强型MOSFET51WDRAIN24 nsN-ChannelSWITCHING7m Ω @ 15A, 10V1270pF @ 12V22nC @ 10V39ns±20V11 ns76AMO-23520V30V65A30V260A175°C1.2mm6.35mm6.35mm无ROHS3 Compliant无铅----------------
Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.04A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R4 WeeksTin表面贴装-TO-253-4, TO-253AA4--1--Tape & Reel (TR)2007e3不用于新设计1 (Unlimited)4EAR99-DUAL鸥翼未说明未说明SINGLE-DUAL GATE, DEPLETION MODE-SOURCE--AMPLIFIER------40mA-15V---------ROHS3 Compliant无铅150°C-55°C低噪音8V200mW40mA800MHzBF204015mA不含卤素8VN-Channel23dBMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR1.6dB5V- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
 | BF999E6327HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET N-CH RF 20V 30MA SOT-23 | 对比 |
 | BF5030WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | SC-82A, SOT-343 | MOSFET RF N-CH 8V 25MA SOT343 | 对比 |
| BF2040E6814HTSA1 | Infineon Technologies | 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 | TO-253-4, TO-253AA | Trans RF MOSFET N-CH 8V 0.04A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-143 T/R | 对比 |
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