Nexperia USA Inc. PSMN7R0-30YL,115

工厂交货时间

12 Weeks

触点镀层

Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-100, SOT-669

引脚数

4

质量

453.59237mg

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

76A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

51W Tc

Turn Off Delay Time

30 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2.15V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2011

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

ECCN 代码

EAR99

电阻

7MOhm

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

30

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

51W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

24 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7m Ω @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1270pF @ 12V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22nC @ 10V

上升时间

39ns

Vgs（最大值）

±20V

下降时间（典型值）

11 ns

连续放电电流(ID)

76A

JEDEC-95代码

MO-235

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大双电源电压

30V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

65A

漏源击穿电压

30V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

260A

最大结点温度（Tj）

175°C

高度

1.2mm

长度

6.35mm

宽度

6.35mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅