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首页 全部分类 PUMD2,125 vs RN4982,LF(CT

PUMD2,125备选型号: RN4982,LF(CT

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  • 引脚数量
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  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电阻基(R1)
  • 电阻-发射极基极(R2)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • 无铅代码
  • Reach合规守则
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 功率 - 最大
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • Nexperia USA Inc.
    PUMD2,125
    Nexperia USA Inc.
    TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP
    4 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    6
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    Tin (Sn)
    150°C
    -65°C
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    300mW
    鸥翼
    MD2
    6
    NPN, PNP
    Dual
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    50V
    100mA
    60 @ 5mA 5V
    1μA
    150mV @ 500μA, 10mA
    22k Ω
    22k Ω
    无
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN4982,LF(CT
    Toshiba Semiconductor and Storage
    TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.2W US6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    50V
    Cut Tape (CT)
    2014
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    -
    -
    -
    BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
    200mW
    鸥翼
    -
    -
    NPN, PNP
    -
    SWITCHING
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
    300mV
    100mA
    50 @ 10mA 5V
    100μA ICBO
    300mV @ 250μA, 5mA
    10k Ω
    10k Ω
    -
    符合RoHS标准
    6.010099mg
    SILICON
    yes
    unknown
    R-PDSO-G6
    2
    200mW
    250MHz
    50V
    250MHz 200MHz
    -10V
    -100mA
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