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首页 全部分类 QS6K21TR vs FDC637BNZ

QS6K21TR备选型号: FDC637BNZ

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  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
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  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 质量
  • 系列
  • 电阻
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 通道数量
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  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Vgs（最大值）
  • 阈值电压
  • 最大结点温度（Tj）
  • 栅源电压
  • 高度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    QS6K21TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 45V 1A TSMT6
    12 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e1
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.25W
    鸥翼
    *K21
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    1.25W
    6 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.5V @ 1mA
    8ns
    45V
    8 ns
    1A
    12V
    1A
    45V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Standard
    300mOhm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    FDC637BNZ
    ON Semiconductor
    Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A 6-Pin SuperSOT T/R
    13 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    6.2A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    鸥翼
    -
    -
    Single
    增强型MOSFET
    800mW
    8 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.5V @ 250μA
    6ns
    -
    6 ns
    6.2A
    12V
    -
    20V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    36mg
    PowerTrench®
    24MOhm
    Tin (Sn)
    DUAL
    1
    24m Ω @ 6.2A, 4.5V
    895pF @ 10V
    12nC @ 4.5V
    ±12V
    800mV
    150°C
    800 mV
    1.1mm
    无SVHC
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