ROHM Semiconductor QS6K21TR

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

16 ns

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

不用于新设计

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

1.25W

终端形式

鸥翼

基本部件号

*K21

引脚数量

6

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.25W

接通延迟时间

6 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 1mA

上升时间

8ns

漏源电压 (Vdss)

45V

下降时间（典型值）

8 ns

连续放电电流(ID)

1A

栅极至源极电压(Vgs)

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

1A

漏源击穿电压

45V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

Standard

漏源电阻

300mOhm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅