QS6M4TR备选型号: DMP2130LDM-7

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 极性/通道类型
  • 下降时间(典型值)
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 配置
  • 通道数量
  • 接通延迟时间
  • Vgs(最大值)
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • ROHM Semiconductor
    MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT6
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    8541.29.00.95
    1.25W
    鸥翼
    260
    1.5A
    10
    *M4
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    1.25W
    N and P-Channel
    SWITCHING
    230m Ω @ 1.5A, 4.5V
    1.5V @ 1mA
    80pF @ 10V
    1.6nC @ 4.5V
    12ns
    30V 20V
    N-CHANNEL AND P-CHANNEL
    12 ns
    1.5A
    1.5V
    12V
    0.245Ohm
    -20V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
    7 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-23-6
    6
    SILICON
    3.4A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    -
    -
    鸥翼
    260
    -
    40
    -
    6
    -
    增强型MOSFET
    1.25W
    P-Channel
    -
    80m Ω @ 4.5A, 4.5V
    1.25V @ 250μA
    443pF @ 16V
    7.3nC @ 4.5V
    20ns
    20V
    -
    20 ns
    3.4A
    -
    12V
    0.08Ohm
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    -
    Matte Tin (Sn)
    HIGH RELIABILITY
    DUAL
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    1
    12 ns
    ±12V
    20A
    20V
    600μm
    1.6mm
    1.2mm
    无SVHC
  • 添加型号
分立半导体产品相关产品
图片 产品型号 品牌 分类 封装 描述 对比
IRLMS6702TRPBF IRLMS6702TRPBF Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP 对比
DMP2130LDM-7 DMP2130LDM-7 Diodes Incorporated 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 SOT-23-6 MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 对比