Infineon Technologies IRLMS6702TRPBF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-23-6

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.4A Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.7V 4.5V

Turn Off Delay Time

21 ns

Power Dissipation (Max)

1.7W Ta

Number of Elements

1

已出版

1997

系列

HEXFET®

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C~150°C TJ

JESD-609代码

e3

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

ECCN 代码

EAR99

电阻

200mOhm

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-20V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

额定电流

-2.3A

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

1.7W

接通延迟时间

13 ns

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

200m Ω @ 1.6A, 4.5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

700mV @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

210pF @ 15V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

8.8nC @ 4.5V

上升时间

20ns

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

±12V

下降时间（典型值）

18 ns

连续放电电流(ID)

-2.4A

阈值电压

-700mV

栅极至源极电压(Vgs)

12V

漏源击穿电压

-20V

高度

1.4478mm

长度

2.9972mm

宽度

1.75mm

RoHS状态

ROHS3 Compliant

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅