QS6M4TR备选型号: FDC6306P
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
- 上升时间
- 漏源电压 (Vdss)
- 极性/通道类型
- 下降时间(典型值)
- 连续放电电流(ID)
- 阈值电压
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏极-源极导通最大电阻
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 触点镀层
- 质量
- 系列
- 电阻
- 电压 - 额定直流
- 接通延迟时间
- 功率 - 最大
- 双电源电压
- 栅源电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- MOSFET N/P-CH 30V/20V 1.5A TSMT620 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2150°C TJTape & Reel (TR)2006e1yes活跃1 (Unlimited)6EAR998541.29.00.951.25W鸥翼2601.5A10*M46Dual增强型MOSFET1.25WN and P-ChannelSWITCHING230m Ω @ 1.5A, 4.5V1.5V @ 1mA80pF @ 10V1.6nC @ 4.5V12ns30V 20VN-CHANNEL AND P-CHANNEL12 ns1.5A1.5V12V0.245Ohm-20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅--------------
- MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT610 Weeks表面贴装表面贴装SOT-23-6 Thin, TSOT-23-66SILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)1999e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-960mW鸥翼--1.9A---Dual增强型MOSFET960mW2 P-Channel (Dual)SWITCHING170m Ω @ 1.9A, 4.5V1.5V @ 250μA441pF @ 10V4.2nC @ 4.5V9ns20V-9 ns1.9A-900mV8V--20VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)Tin36mgPowerTrench®170mOhm-20V6 ns700mW-20V-900 mV1mm3mm1.7mm无SVHC
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRLMS6702TRPBF | Infineon Technologies | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 2.4A 6-TSOP | 对比 |
![]() | DMP2130LDM-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 | SOT-23-6 | MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 | 对比 |




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