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首页 全部分类 QS8F2TCR vs MCH3481-TL-W

QS8F2TCR备选型号: MCH3481-TL-W

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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 晶体管类型
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 阈值电压
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • ROHM Semiconductor
    QS8F2TCR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET/TRANS P-CH/PNP TSMT8
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    12V 30V
    Tape & Reel (TR)
    2011
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    通用型
    2.5A 2A
    未说明
    未说明
    PNP, P-Channel
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MCH3481-TL-W
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 20V 2A MCPH3
    表面贴装
    表面贴装
    3-SMD, Flat Lead
    70
    2A Ta
    Cut Tape (CT)
    2017
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
    6 Weeks
    SILICON
    150°C TJ
    e6
    3
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    DUAL
    R-PDSO-F3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    6.6 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    104m Ω @ 1A, 4.5V
    900mV @ 1mA
    175pF @ 10V
    2.9nC @ 4.5V
    27ns
    20V
    ±9V
    19 ns
    2A
    900mV
    9V
    2A
    0.104Ohm
    20V
    无SVHC
    无铅
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