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首页 全部分类 QS8J11TCR vs NTHD2110TT1G

QS8J11TCR备选型号: NTHD2110TT1G

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  • 终止次数
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  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
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  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 引脚数
  • 端子位置
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 资历状况
  • Vgs（最大值）
  • ROHM Semiconductor
    QS8J11TCR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2P-CH 12V 3.5A TSMT8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2015
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    锡铜
    550mW
    260
    10
    8
    R-PDSO-F8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    550mW
    2 P-Channel (Dual)
    SWITCHING
    43m Ω @ 3.5A, 4.5V
    1V @ 1mA
    2600pF @ 6V
    22nC @ 4.5V
    12V
    3.5A
    0.043Ohm
    12A
    12V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    Logic Level Gate, 1.5V Drive
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD2110TT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    SILICON
    4.5A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2008
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    未说明
    未说明
    8
    -
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    -
    P-Channel
    SWITCHING
    40m Ω @ 6.4A, 4.5V
    850mV @ 250μA
    1072pF @ 6V
    14nC @ 4.5V
    12V
    4.5A
    0.04Ohm
    -
    12V
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 weeks ago)
    8
    DUAL
    C 弯管
    unknown
    不合格
    ±8V
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