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首页 全部分类 QS8K21TR vs NTHS4501NT1G

QS8K21TR备选型号: NTHS4501NT1G

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  • 上升时间
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  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 生命周期状态
  • 附加功能
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 资历状况
  • 功率耗散
  • Vgs（最大值）
  • ROHM Semiconductor
    QS8K21TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 45V 4A TSMT8
    20 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin/Copper (Sn/Cu)
    550mW
    260
    10
    8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1
    增强型MOSFET
    9 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    53m Ω @ 4A, 10V
    2.5V @ 1mA
    460pF @ 10V
    5.4nC @ 5V
    25ns
    45V
    7 ns
    4A
    20V
    4A
    0.075Ohm
    45V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHS4501NT1G
    ON Semiconductor
    MOSFET N-CH 30V 4.9A CHIPFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    SILICON
    4.9A Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    Tin (Sn)
    -
    260
    40
    8
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    -
    增强型MOSFET
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    38m Ω @ 4.9A, 10V
    2V @ 250μA
    462pF @ 24V
    9.1nC @ 10V
    11ns
    -
    11 ns
    6.7A
    20V
    -
    -
    30V
    -
    -
    -
    符合RoHS标准
    无铅
    LAST SHIPMENTS (Last Updated: 16 hours ago)
    逻辑电平兼容
    30V
    DUAL
    C 弯管
    4.9A
    不合格
    1.3W
    ±20V
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