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首页 全部分类 QS8K51TR vs NTHD4502NT1

QS8K51TR备选型号: NTHD4502NT1

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  • 栅极至源极电压(Vgs)
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  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 漏源电阻
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 终端形式
  • 额定电流
  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率耗散
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • ROHM Semiconductor
    QS8K51TR
    ROHM Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8
    10 Weeks
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    2
    Tape & Reel (TR)
    2016
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    150°C
    -55°C
    1.5W
    未说明
    not_compliant
    未说明
    *K51
    2
    增强型MOSFET
    10 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    10ns
    30V
    15 ns
    2A
    20V
    2A
    6A
    100V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    240mOhm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    NTHD4502NT1
    ON Semiconductor
    MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
    -
    表面贴装
    表面贴装
    8-SMD, Flat Lead
    8
    2
    Tape & Reel (TR)
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    -
    -
    640mW
    240
    not_compliant
    30
    NTHD4502N
    -
    增强型MOSFET
    -
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    5.4ns
    -
    5.4 ns
    2.2A
    20V
    2.9A
    -
    -
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    -
    Non-RoHS Compliant
    含铅
    SILICON
    -55°C~150°C TJ
    e0
    Tin/Lead (Sn/Pb)
    30V
    C 弯管
    3.9A
    8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    1.13W
    85m Ω @ 2.9A, 10V
    3V @ 250μA
    140pF @ 15V
    7nC @ 10V
    -20V
    逻辑电平门
    25 pF
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